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pfc电路mos管击穿原因？
MOS管击穿的原因及解决方案MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中.组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地.第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ 在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。而129＃在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生.还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
mos管gs击穿什么原因？
第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少数电荷就可在极间电容上构成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。尽管MOS输入端有抗静电的维护措施，但仍需当心对待，在存储和运送中最好用金属容器或许导电资料包装，不要放在易发生静电高压的化工资料或化纤织物中。拼装、调试时，东西、外表、工作台等均应杰出接地。要避免操作人员的静电搅扰构成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或东西在触摸集成块前最好先接一下地。对器材引线矫直曲折或人工焊接时，运用的设备有必要杰出接地。
第二、MOS电路输入端的维护二极管，其导通时电流容限一般为1mA 在可能呈现过大瞬态输入电流(超越10mA)时，应串接输入维护电阻。而129#在初期设计时没有参加维护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而经过替换一个内部有维护电阻的MOS管应可避免此种失效的发生。还有因为维护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使维护电路失去效果。所以焊接时电烙铁有必要可靠接地，以防漏电击穿器材输入端，一般运用时，可断电后使用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部搅扰使MOS导通，外部搅扰信号对G-S结电容充电，这个细小的电荷能够贮存很长时刻。在实验中G悬空很风险，许多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路搅扰信号就不会直通了，一般能够10~20K。
这个电阻称为栅极电阻。效果1：为场效应管供给偏置电压;效果2：起到泻放电阻的效果(维护栅极G~源极S)。榜首个效果好了解，这儿解释一下第二个效果的原理：维护栅极G~源极S：场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少数的静电就能使他的G-S极间的等效电容两头发生很高的电压，如果不及时把这些少数的静电泻放掉，他两头的高压就有可能使场效应管发生误动作，甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，然后起到了维护场效应管的效果。
传感器中敏感栅是啥？
敏感栅，是金属电阻应变片的核心结构部件，直径0.025mm。
特点是为了使应变片既具有一定的电阻值,又不太长,应变片的敏感栅采用直径为0.025mm的金属电阻丝做成栅状.敏感栅是应变片的核心,它粘贴在绝缘的基底上,两端焊接引出导线,敏感栅上面粘贴有保护作用的覆盖层.
胆机放大级栅漏电阻作用？
第一个作用是把*极电阻上电压降的负电位引入栅极，是电子管有一个合适的静态工作点。这个电路采取的是自给偏压的方式，其自给方式是*极电阻接地电流通过*极电阻是*极电位升高，栅极通过栅漏电阻接地，造成栅极相对于*极的电压为负。由此获得栅极负偏压，得以控制*极电子流向阳极。
第二个作用是与耦合电容构成分压电路，以便于输入信号电压输入栅极回路中，进而控制栅极电压随输入电压的波动而产生变化。
第三个作用是将控制栅极所捕获的少部分从*极发射出来的电子通过这个栅漏电阻接地泄放入地。从而起到稳定电子管静态工作点的目的。
因为如果栅极捕获的电子越来越多而不泄放掉的话，控制栅极电位就会越来越负，从而影响到栅极稳定的自给偏压（静态工作点），所以必须将这部分电子泄放掉。
急求太阳能电池片隐裂.虚焊.断栅.碎片的定义？
你好，我是MOTECH,你问的三个问题我针对我们公司销售和顾客的定义跟你描述下:隐裂就是还没有裂开，已经内伤的CELL，,比如PT站网板下有点碎片，再次印刷会造成片子隐裂，用酒精或水在隐裂的地方浇上，反面会有痕迹，那就是隐裂点。如在组件里照EL发现的 那就需要加热后撕开背板，铲下隐裂片了。虚焊：这个就考验一个厂的管理能力,长期看影响蛮大, 虚焊顾名思义就是没焊上,既然没有焊上那电阻就会减少，影响组件效率，如果是直焊3Busbar问题还不大，如果是2Busbar且是段Bus 虚焊个五厘米问题就严重了,感觉有虚焊的话撕点A4贴着CELL可以直接穿过来.碎片: 我们公司的碎片=破片, 156的话破片的定义是＞5平方毫米，有的小加工厂会买破片回去镭切然后加工小组建，或做点工艺品，不过量不大，我们公司因产量大，破片直接打成碎片，当垃圾硅卖
